삼성전자 '엔비디아行HBM' 양산 ,,,

HBM 수요에 맞춰 全사업장 설비 계획 수정 ,,,

AMD에도 연내 HBM3E 공급, 생산량 3배↑ ,,,

4분기 D램 웨이퍼 月70만장 투입 역대 최대 ,,,

● 고대역폭메모리(HBM)에서도 이제 삼성전자의 시간이 왔다.

- 엔비디아의 4세대 HBM(HBM3) 퀄(승인) 테스트를 통과한 데 이어 공급을

위한 양산에 들어가면서 HBM 시장에서 주도권을 쥐기 위한 레이스에

돌입했다.

▷ 여기에 풍부한 자본과 생산능력을 바탕으로 HBM뿐 아니라 범용 메모리

수요에 대응하기 위해 공격적 설비투자에 뛰어들 것으로 예상된다.

● “삼성의 모든 사업장이 HBM 관여”

- 사실 올해 삼성의 가장 중요한 과제이자 이슈는 엔비디아용 HBM3 양산이 아닌 5세대 HBM(HBM3E) 퀄 테스트 통과다.

▷ 엔비디아는 최신 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)인 ‘블랙웰’을 발표하며 HBM3E 탑재의 중요성을 언급했다.

→ SK하이닉스와 마이크론테크놀로지 등은 연초에 엔비디아의 까다로운 테스트를 통과해 양산을 시작했지만 삼성전자는 성과를 내지 못하면서 시장의 우려가 커졌다.

▷ 하지만 삼성전자가 엔비디아용 HBM3 본격 양산으로 기술 수준을 한 단계 업그레이드하면서 HBM3E 퀄 통과에 대한 기대감도 커지고 있다.

→ 시장에서는 퀄 테스트 통과에 대해 긍정적인 전망을 내놓고 있다.

이달 초 업계에서는 삼성전자가 HBM3E 제품에 대한 생산준비승인(PRA)을 완료하고 양산을 앞두고 있다는 소식이 전해졌다.

→ 시장조사 업체 트렌드포스는 “삼성의 공급망 파트너 중 일부는 최근 HBM과 관련해 가능한 한 빨리 주문하고 용량을 예약하라는 정보를 받은 것으로 알려졌다”며

“이는 HBM이 하반기에 원활하게 출하를 시작할 수 있다는 의미”라고 밝혔다.

- 삼성전자는 엔비디아 외에도 HBM 고객사를 늘려나가는 추세다.

▷ 6월 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 엔비디아를 추격하기 위한 AI용 GPU ‘MI325X’를 올해 4분기 출시하고 HBM3E를 탑재하기로 했다.

→ 이 HBM은 삼성전자가 공급하는 것으로 알려졌다.

- 삼성전자는 HBM 수요에 맞춰 화성·평택 사업장을 중심으로 일반 D램 공정을 HBM용 D램으로 전환하는 작업을 진행하고 있다.

▷ HBM용 D램은 일반적인 D램과는 달리 데이터 이동 통로가 많다는 특징 때문에 별도의 생산 설비가 필요하다.

→ 삼성전자는 올해 HBM 공급 규모를 전년보다 3배가량 확대하고 내년에도 2배 이상 늘린다는 목표를 세웠다.

- 일각에서는 삼성전자가 퀄 테스트를 통과하면 더 공격적으로 HBM 설비 증축에 나설 것이라고 보는 시각도 있다.

▷ 업계의 한 관계자는 “삼성전자의 모든 사업장이 HBM에 관여하고 있다고 해도 무방하다”며 “경쟁사들은 삼성전자가 빠르게 HBM 생산능력을 늘리면서 규모의 경제를

실현하는 것에 상당한 부담을 느끼는 추세”라고 설명했다.

● 올 4분기 웨이퍼 투입량 역대 최대…수율이 과제

- 삼성전자는 HBM 생산능력 향상과 범용 D램 수요 폭증에 대한 고민도 안고 있다.

▷ 트렌드포스에 따르면 올해 D램 시장 매출은 불황이었던 지난해에 비해 74.8% 성장한 380억 8300만 달러를 기록할 것으로 보고 있다.

→ HBM뿐 아니라 PC·서버·모바일 등 정보기술(IT) 기기 수요가 살아나면서 움츠러들었던 시장이 확대되고 있다는 의미다.

- 삼성전자는 이 문제를 해결하기 위해 신규 장비를 놓을 수 있는 공간에는 D램 장비를 최우선적으로 설치하는 방향을 설정했다.

▷ 신규 D램 설비를 설치할 수 있는 최적의 공간은 평택 4공장(P4) 1층이다.

→ 낸드플래시와 파운드리 설비 계획을 전면 수정하면서 D램 설비를 놓겠다는 방침을 세운 것은 그만큼 범용 D램 수요가 다급해졌다는 뜻으로 풀이된다.

- P4 구축 외에도 각 라인을 최선단 D램인 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 5세대(1b)로 전환하는 작업이 이뤄지고 있다.

▷ 화성 사업장의 D램 생산 설비인 15라인의 경우 10나노급 3세대(1z) D램 제조 설비를 5세대 제조 팹으로 전환하고 있다.

→ 트렌드포스는 올 4분기까지 삼성의 10나노급 5세대 D램 생산 비율이 전체의 17%에 달할 것으로 내다봤다.

→ 4분기 삼성전자의 D램용 웨이퍼 투입량은 역대 최대인 월 70만 장 수준이 될 것으로 전망했다.

▷ 다만 삼성전자는 10나노급 5세대 D램의 생산 수율이 이윤을 극대화할 만큼 올라오지 못했다는 업계 분석도 있다.

→ 업계의 또 다른 관계자는 “삼성전자는 공간과 자본에서 라이벌인 SK하이닉스를 압도한다”면서도 “올해 삼성이 유의미한 D램 실적을 내려면 양산 기술을 고도화해야 할 것”이라고 말했다.